H5GQ2H24AFR-T2CR

SK海力士推出的H5GQ2H24AFR-T2CR是一款面向高性能计算和存储应用的高密度、高速同步动态随机存取存储器。该芯片采用先进的DDR4 SDRAM架构，在提升数据传输速率的同时，显著优化了功耗表现。其内部核心基于双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，有效实现了带宽的倍增。该架构支持Bank Group设计，通过交错访问不同Bank Group来减少内部访问冲突，从而进一步提升实际带宽利用率和系统响应速度。

在功能特性方面，该器件集成了多项增强技术以保障稳定可靠的运行。片上终端电阻（ODT）功能可以有效改善信号完整性，特别是在多模组配置的高负载场景下，能够减少信号反射，确保数据传输的准确性。其自动刷新与自刷新模式则负责动态管理存储单元的数据保持，在活跃工作状态下或进入低功耗待机时，都能有效维持数据，同时平衡功耗与性能。此外，芯片支持可编程的CAS延迟、写入延迟及突发长度，为系统设计者提供了灵活的时序调优空间，以适应不同主板布局和处理器平台的特定需求。

该芯片的接口遵循JEDEC标准的DDR4规范，工作电压为1.2V，相比前代DDR3的1.5V有了显著降低，这直接带来了整体功耗的下降。其数据传输速率最高可达2400MT/s，对应的时钟频率为1200MHz，能够提供高达19.2GB/s的理论峰值带宽（以64位总线计算）。芯片内部采用8n预取架构，并支持突发终止与掩码写入操作。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的海力士代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高带宽、低延迟和优化的能效比，H5GQ2H24AFR-T2CR非常适用于对内存性能有苛刻要求的领域。其主要应用场景包括企业级服务器、数据中心的高性能计算节点、高端工作站以及网络通信设备。在这些应用中，该芯片能够有效加速大数据处理、虚拟化任务、实时分析及高频交易等关键工作负载，是构建现代高效能计算基础设施的核心存储组件之一。

• 制造商产品型号：H5GQ2H24AFR-T2CR
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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