SK hynix LPDDR2 设备的输入/输出电压由LPDDR的1.8V降为1.2V，这样一来，在保证同样的性能水平条件下，设备的耗电量比过去能降低...

SK hynix 所有DDR2 内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与...

SK hynix eMMC 的应用是对存储容量有较高要求的消费电子产品。由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存...

SK hynix Nand Flash的电源电压范围为1.8～3.6V，功耗低，TSOP封装，体积小，目前最大单片容量可达512Gb，按页读写，按块擦除。通...

SK hynix DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延...

SK hynix SDR非常适用于需要大的存储密度和高带宽的主存储器应用。SK hynix DDR提供参考时钟的上升沿和下降沿完全同步操作。所有...

SK hynix DDR 非常适用于需要大的存储密度和高带宽的主存储器应用。SK hynix DDR提供参考时钟的上升沿和下降沿完全同步操作。数据...

SK hynix LPSDR 非常适合用于需要大量的存储密度和高带宽、使用电池的非PC应用，如PDA，2.5G和具有互联网接入和多媒体功能的3G手...

SK hynix LPDDR (Mobile DDR SDRAM)非常适合于使用电池的移动应用，如PDA，2.5G和3G手机与互联网接入，多媒体功能，迷你笔记本电...