Hynix第一代垂直堆叠内存采用4个DRAM芯片堆叠在一个基础层之上,采用名为“穿透硅通孔”的垂直通道相连
三星半导体依然稳居市占龙头,而SK海力士再度夺回第二名的位置。
SK海力士宣布成功研发出16GB NVDIMM内存条,全球容量最大非易失性NVDIMM内存
SK hynix近日在中国深圳市成功地举办了第4届”2014 CIS Showcase”
DDR4内存初期的标准规格 内存颗粒倒是不错,来自海力士