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SK Hynix官网中文新闻频道:2026/7/6SK Hynix海力士公司重要资讯、突发新闻

Hynix第一代垂直堆叠内存采用4个DRAM芯片堆叠在一个基础层之上,采用名为“穿透硅通孔”的垂直通道相连

三星半导体依然稳居市占龙头,而SK海力士再度夺回第二名的位置。

SK海力士宣布成功研发出16GB NVDIMM内存条,全球容量最大非易失性NVDIMM内存

SK hynix近日在中国深圳市成功地举办了第4届”2014 CIS Showcase”

DDR4内存初期的标准规格 内存颗粒倒是不错,来自海力士

SK hynix SDR非常适用于需要大的存储密度和高带宽的主存储器应用......
SK hynix 所有DDR2 内存均采用FBGA封装形式,而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式......
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