H5PS1G163EFR-S6C

H5PS1G163EFR-S6C是一款由SK海力士（SK hynix）设计生产的1Gb容量DDR2 SDRAM存储芯片，采用先进的CMOS工艺制造，工作电压为1.8V，符合JEDEC标准规范。该芯片内部采用经典的Bank架构组织，通常为4个或8个Bank结构，以实现高效的并行访问和地址管理，其核心存储单元阵列通过精密的行列地址译码电路进行寻址，确保了高速、稳定的数据吞吐能力。

该器件具备高速的数据传输速率，支持DDR2-800（400MHz时钟频率）或更高规格的运行模式，通过双倍数据速率（DDR）技术在时钟的上升沿和下降沿各传输一次数据，有效提升了带宽。它集成了片内终结（ODT）功能，有助于优化信号完整性，减少板级设计的复杂性，并支持可编程的CAS延迟、突发长度和写入延迟，为系统时序调优提供了灵活性。其工作温度范围通常覆盖商业级（0°C至+85°C）或工业级标准，具备良好的环境适应性。

在接口与电气参数方面，H5PS1G163EFR-S6C采用细间距球栅阵列（FBGA）封装，具有紧凑的物理尺寸和优异的散热性能。其I/O接口采用SSTL_18电平标准，与主流处理器和控制器兼容。关键时序参数如tRCD、tRP、tRAS等均经过严格测试，确保在高速运行下的可靠性。对于需要稳定供应的客户，可以通过正规的海力士代理渠道获取原装产品与技术支援。

这款芯片主要面向需要中等容量、较高带宽和可靠性的嵌入式系统与消费电子领域。它常见于网络通信设备（如路由器、交换机）、工业控制计算机、数字电视、机顶盒以及各类需要缓存或程序运行内存的嵌入式主板中。其平衡的性能、功耗与成本，使其成为许多对系统内存有持续、稳定需求的应用场景中的优选解决方案。

• 制造商产品型号：H5PS1G163EFR-S6C
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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