H5PS1G63JFR-S6C

H5PS1G63JFR-S6C是一款由SK海力士（SK hynix）推出的高速、低功耗DDR2 SDRAM芯片，采用先进的FBGA封装技术，主要面向对数据带宽和能效有较高要求的嵌入式系统及消费电子应用。该器件内部集成了1Gb（128M x 8位）的存储容量，组织架构为8个内部Bank，通过双倍数据速率（DDR）技术在时钟的上升沿和下降沿均传输数据，有效实现了数据传输速率的大幅提升。

该芯片在功能设计上着重于性能与可靠性的平衡。它支持DDR2-800标准，核心工作电压为1.8V ±0.1V，其I/O接口同样采用SSTL_18电平标准，确保了信号完整性与系统兼容性。内部集成片内终结（ODT）功能，可以有效抑制信号在传输线上的反射，简化PCB布局设计并提升信号质量。此外，它支持Posted CAS与附加延迟（AL）等高级命令，优化了命令与数据总线的效率，减少了访问冲突。对于需要稳定供应的客户，可以通过正规的海力士代理渠道获取原装正品与完整的技术支持。

在接口与关键参数方面，H5PS1G63JFR-S6C采用78-ball FBGA封装，尺寸紧凑，适合高密度板卡设计。其时钟频率（CK/CK#）最高可达400MHz，对应数据传输速率达800Mbps/pin。它提供了一系列可编程特性，包括突发长度（BL4， BL8）、CAS延迟（CL3， CL4， CL5， CL6）以及写恢复时间等，允许系统设计者根据实际性能与时序要求进行灵活配置。芯片的工作温度范围通常涵盖商业级（0°C to +85°C）或工业级标准，以满足不同环境的应用需求。

基于其高性能与高可靠性，H5PS1G63JFR-S6C非常适合应用于网络通信设备（如路由器、交换机）、数字电视、机顶盒、工业控制计算机以及各类需要大容量缓冲存储的嵌入式主板中。在这些场景下，它能够为处理器或ASIC提供高效、稳定的数据交换支持，是构建现代电子系统核心存储子系统的主流选择之一。

• 制造商产品型号：H5PS1G63JFR-S6C
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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