H5PS5182FFP-Y5CR-C

在现代高性能计算与存储系统中，H5PS5182FFP-Y5CR-C作为一款DDR2 SDRAM芯片，其核心架构基于先进的CMOS工艺，内部采用多Bank并行组织结构，并集成了同步接口与预取架构。这种设计允许芯片在每个时钟周期内进行高速数据传输，其内部Bank的交叉访问机制有效降低了访问延迟，提升了整体数据吞吐效率。对于需要稳定、高速内存解决方案的系统集成商而言，通过正规的SK海力士代理商获取此型号，是确保芯片来源可靠性与技术支持保障的重要途径。

该芯片具备一系列面向高性能应用的功能特性。它支持DDR2-800的数据传输速率，能够在400MHz的时钟频率下实现每秒高达6.4GB的理论带宽。其工作电压为1.8V，相比前代DDR标准显著降低了功耗与发热。芯片内置了片上终结（ODT）功能，这有助于优化信号完整性，减少主板布线的复杂性，并提升系统在高速运行下的稳定性。此外，它支持4位预取和突发长度为4或8的操作模式，使得数据流与处理器请求能够更高效地匹配。

在接口与关键参数方面，该器件采用FBGA封装，具有良好的电气性能和散热特性。其组织架构为128M words × 16 bits × 8 banks，总容量达到2Gb（256MB）。它遵循标准的DDR2 SDRAM接口协议，包括差分时钟（CK/CK#）、数据选通（DQS/DQS#）以及多种命令与地址输入。时序参数如CL（CAS延迟）、tRCD（RAS到CAS延迟）和tRP（行预充电时间）均经过精心优化，以满足严格的高速时序要求，确保在服务器、网络设备等严苛环境下的可靠运行。

基于其高带宽、低功耗与高可靠性的特点，H5PS5182FFP-Y5CR-C非常适用于对内存性能有持续高要求的应用场景。典型应用包括企业级服务器和工作站的主内存或缓存，高性能网络路由器、交换机及通信设备的数据包缓冲，以及需要大量实时数据处理的工业控制计算机和嵌入式系统。在这些领域中，它能够为系统提供稳定且高效的数据存取支持，是构建核心数据处理平台的关键组件之一。

• 制造商产品型号：H5PS5182FFP-Y5CR-C
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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