H5RS5223CFR-11CR

作为一款面向高性能计算和网络应用的存储解决方案，H5RS5223CFR-11CR采用了先进的DDR4 SDRAM架构。该芯片基于双倍数据速率技术，其内部核心频率与I/O频率的倍增设计，使得在保持较低功耗的同时，能够实现显著提升的数据吞吐带宽。其核心架构集成了多Bank阵列和预取机制，通过精细的时序控制和地址映射，有效降低了访问延迟，提升了大数据量连续读写的效率，尤其适合需要高带宽、低延迟的实时处理场景。

该器件具备一系列增强的功能特性，以应对严苛的工作环境。片上终结电阻（ODT）功能可以有效改善信号完整性，减少高速信号在传输线上的反射，这对于多芯片模组（RDIMM/LRDIMM）的稳定运行至关重要。同时，它支持可编程的CAS延迟（CL）、写入延迟（CWL）以及突发长度，为系统设计者提供了灵活的时序调优空间，以匹配不同的处理器平台和总线负载。其内置的温度传感器和自刷新温度范围（SRT）功能，能够根据工作温度动态调整刷新速率，在保证数据可靠性的前提下优化功耗表现。

在接口与电气参数方面，该芯片运行在1.2V的核心电压（VDD）和VPP电压下，符合JEDEC DDR4标准规范。它提供x8的数据位宽，并支持1.066Gbps（对应时钟频率533MHz）的数据传输速率。其命令/地址接口采用多用途设计，兼容标准的DDR4命令集，包括激活、预充电、读写和刷新等操作。严格的时序参数，如tRCD、tRP、tRAS等，确保了在各种工作模式下的可靠切换与数据存取。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过海力士中国代理获取该产品的详细规格书、样品以及设计指导。

基于其高带宽、低延迟和良好的信号完整性，H5RS5223CFR-11CR非常适合应用于对数据吞吐要求极高的领域。在企业级服务器、数据中心存储系统和高性能计算集群中，它常被用于构建大容量的主内存模组。此外，在高端网络路由器、交换机、通信基站设备以及图形工作站中，该芯片也能为高速数据包缓冲、帧缓存和实时数据处理提供可靠的存储支持，是构建下一代高性能计算基础设施的关键组件之一。

• 制造商产品型号：H5RS5223CFR-11CR
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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