H5TQ2G63BFR-H9C

作为SK HYNIX旗下DDR3 SDRAM产品线的重要成员，H5TQ2G63BFR-H9C是一款采用先进半导体工艺制造的2Gb容量内存芯片。它基于双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器的核心架构，内部由8个Bank组成，采用4n预取设计以实现高速数据传输。该芯片在1.5V的标准工作电压下运行，其内部结构经过优化，能够有效平衡功耗与性能，为系统提供稳定可靠的高速数据缓冲与存储解决方案。

该器件具备多项突出的功能特性。其数据传输速率最高可达1866Mbps，配合片上终结（ODT）与可编程CAS延迟等特性，能够显著提升信号完整性并优化系统时序。它支持自动刷新与自刷新模式，在降低功耗的同时确保数据保持的可靠性。此外，芯片内置的温度补偿自刷新（TCSR）与局部阵列自刷新（PASR）功能，使其能够根据工作环境与负载情况动态调整功耗，特别适合对能效有严格要求的应用场景。其工作温度范围符合工业级标准，确保了在严苛环境下的稳定运行。

在接口与电气参数方面，该芯片采用标准的96-ball FBGA封装，接口为双倍数据速率（DDR3）接口。其I/O接口兼容SSTL_15标准，时钟采用差分输入（CK、CK#）以提高抗噪能力。关键时序参数如CAS延迟（CL）、行地址到列地址延迟（tRCD）和行预充电时间（tRP）均可通过模式寄存器（MRS）进行配置，为用户提供了高度的设计灵活性，以满足不同系统对带宽和延迟的精确需求。用户可以通过正规的SK HYNIX代理获取完整的技术文档与支持服务。

凭借其高性能、低功耗与高可靠性的特点，H5TQ2G63BFR-H9C广泛应用于需要大容量、高速缓存的嵌入式系统与计算平台。典型应用包括高性能网络设备（如路由器、交换机）、工业自动化控制单元、数字标牌、多功能打印机以及各类需要稳定内存支撑的服务器辅助模块。它为这些设备的数据处理核心提供了必需的高速数据吞吐能力，是构建高效能、高响应性系统的关键存储组件。

• 制造商产品型号：H5TQ2G63BFR-H9C
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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