H5TQ2G83FFR-H9C

H5TQ2G83FFR-H9C是一款由SK海力士（SK hynix）推出的DDR3 SDRAM芯片，采用先进的半导体工艺制造，旨在为需要高带宽和可靠性的计算与嵌入式系统提供内存解决方案。该芯片内部集成了2Gb（256M x 8）的存储容量，其核心架构基于双倍数据速率（DDR）技术，通过在时钟信号的上升沿和下降沿均传输数据，有效提升了数据传输效率。其内部存储单元阵列经过优化设计，配合高效的地址解码与预取机制，确保了在高速运行下的数据存取稳定性和时序一致性。

该器件支持DDR3-1866 (PC3-14900)的速度等级，其工作电压为标准的1.5V，并支持SSTL_15接口电平，有助于降低系统整体功耗。它采用了78-ball FBGA封装，这种紧凑的封装形式不仅节省了PCB板空间，也优化了信号完整性，尤其适合空间受限的高密度设计。芯片内置了片上终结（ODT）功能，可以有效抑制高速信号在传输线末端产生的反射，简化了主板设计并提升了信号质量。此外，它支持自动刷新与自刷新模式，能够在活跃或待机状态下有效管理数据保持功耗，满足各类能效要求。

在接口与关键参数方面，该芯片的时钟频率（CK/CK#）最高可达933MHz，从而实现1866Mbps/pin的数据传输率。其突发长度（BL）可配置为8或通过模式寄存器设置为4，提供了灵活的数据突发传输模式。访问延迟（CL）、行地址到列地址延迟（tRCD）和行预充电时间（tRP）等时序参数均经过严格规定，以确保与各类主流内存控制器兼容。稳定的性能表现使其成为从海力士代理商处采购可靠内存组件的理想选择之一。

基于其高性能、低功耗和可靠的特性，H5TQ2G83FFR-H9C非常适合应用于对内存带宽和稳定性有较高要求的领域。典型应用场景包括企业级网络设备（如路由器、交换机）、工业控制计算机、高性能嵌入式主板、数字标牌以及一些需要持续数据处理的通信基础设施。在这些应用中，它能够为处理器提供充足且高速的数据缓冲，保障系统流畅运行并应对复杂的多任务处理环境。

• 制造商产品型号：H5TQ2G83FFR-H9C
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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