H5TQ4G63MFR-11C

SK海力士推出的H5TQ4G63MFR-11C是一款面向主流计算与消费电子应用的DDR3 SDRAM芯片。该器件采用先进的半导体工艺制造，内部集成了4Gb（512M x 8）的存储容量，构成了其高密度存储的核心基础。其架构基于双倍数据速率（DDR）技术，通过在时钟信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，有效提升了数据吞吐效率。内部存储单元以BANK形式组织，支持快速的预充电和激活操作，配合可编程的突发长度与CAS延迟，使得内存控制器能够灵活高效地调度数据访问，优化系统整体性能。

该芯片在功能设计上注重性能与可靠性的平衡。工作电压为标准DDR3的1.5V，有助于在保证信号完整性的同时控制功耗。它支持DDR3-1600 (PC3-12800)速率等级，数据传输速率最高可达1600 Mbps/pin，为需要高带宽的应用提供了有力支持。其内置的片上终端电阻（ODT）功能可以显著改善信号质量，减少主板布线的复杂性并抑制信号反射，这对于高速运行下的系统稳定性至关重要。此外，芯片还具备自动刷新与自刷新模式，以维持数据完整性并降低待机功耗。

在接口与关键参数方面，H5TQ4G63MFR-11C采用78-ball FBGA封装，接口为标准的8位宽数据总线（x8配置）。其时序参数，如CL（CAS Latency）、tRCD、tRP等，均针对DDR3-1600速率进行优化，确保了在标称频率下的可靠时序裕量。工作温度范围通常覆盖商业级（0°C to 85°C）或工业级标准，以满足不同环境的应用需求。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过正规的SK海力士代理商获取该产品及相关服务。

基于其均衡的性能与成熟的DDR3技术，该芯片非常适合应用于多种对成本与性能有综合要求的场景。典型应用包括台式电脑、笔记本电脑、一体机等个人计算设备的内存模块，以及各类工控主板、网络通信设备（如路由器、交换机）、数字电视和机顶盒等消费类电子产品。在这些领域中，它能够作为系统的主要工作内存，为处理器、显卡及其他外设提供高速、可靠的数据缓存与交换服务。

• 制造商产品型号：H5TQ4G63MFR-11C
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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