H5TQ5163MFR-20C

SK海力士推出的H5TQ5163MFR-20C是一款基于先进DDR4 SDRAM技术的高性能内存芯片。该器件采用双倍数据速率架构，在时钟的上升沿和下降沿均进行数据传输，有效实现了高带宽与低功耗的平衡。其内部核心采用多Bank并行架构，支持Bank Group设计，显著提升了数据访问的并发处理能力，减少了访问冲突和延迟，为数据密集型应用提供了稳定的高速数据吞吐基础。

该芯片具备多项增强型功能特性。数据总线倒置（DBI）功能可有效降低数据总线切换时的功耗与噪声，而片上终端电阻（ODT）则优化了信号完整性，尤其在多芯片模组配置中表现优异。它支持自动刷新与自刷新模式，确保数据在待机或低功耗状态下的安全保持。其工作电压为1.2V，相比前代DDR3产品显著降低了功耗，符合现代电子系统对能效的严格要求。时序参数后缀“-20C”表明其标准工作速度等级，能够满足主流高性能计算对内存延迟和频率的需求。

在接口与关键参数方面，H5TQ5163MFR-20C提供标准DDR4接口，兼容JEDEC规范。其组织架构通常为高密度配置，例如4Gb或8Gb容量，位宽为x16或x32，具体规格需参考官方数据手册。该芯片支持可编程的CAS延迟、写入恢复时间等时序参数，为系统设计提供了灵活的优化空间。其工作温度范围覆盖商业级（0℃至85℃）或工业级标准，确保在不同环境下的可靠运行。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的SK HYNIX代理获取该产品及相关服务。

凭借其高性能与高可靠性，H5TQ5163MFR-20C非常适合应用于对内存带宽和能效有严苛要求的领域。它常见于企业级服务器、数据中心存储系统、高性能网络交换设备以及高端图形工作站中，为处理器提供充足且快速的数据缓冲。此外，在需要处理大量实时数据的通信基础设施、工业控制计算机以及高级测试测量仪器中，该芯片也能发挥关键作用，是构建现代高性能计算平台的核心存储组件之一。

• 制造商产品型号：H5TQ5163MFR-20C
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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