H5TS5163MFR-NOC

作为SK海力士（SK hynix）DDR3 SDRAM产品线中的一员，H5TS5163MFR-NOC是一款采用先进半导体工艺制造的1Gb容量、x16组织结构的同步动态随机存取存储器。该芯片基于双倍数据速率（DDR3）架构设计，其核心在于利用预取架构和点对点连接技术，在提升数据传输带宽的同时，有效降低了核心工作频率与功耗。其内部存储单元阵列经过优化，配合精准的时序控制逻辑，确保了在高速运行下的数据完整性与稳定性。

该器件具备一系列增强型功能特性，支持1.5V标准工作电压，符合JEDEC DDR3标准规范，有助于降低系统整体功耗。它集成了片上终结（ODT）功能，可以简化主板设计，改善信号完整性，特别是在多模组配置的高密度内存系统中表现优异。此外，芯片内置的自刷新（Self Refresh）与自动刷新（Auto Refresh）机制，能够可靠地维持存储数据，并支持部分阵列自刷新等高级电源管理功能，为移动计算和低功耗应用场景提供了灵活的选择。

在接口与关键参数方面，H5TS5163MFR-NOC提供标准的DDR3接口，其数据传输速率可根据具体型号后缀覆盖主流速率等级。它采用细小的封装形式，适合空间受限的设计。主要时序参数如CAS延迟、行预充电时间等均经过严格测试，确保在规定的频率和电压下达到标称性能。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过正规的SK海力士代理商获取完整的技术资料、样品以及批量供货支持。

这款芯片主要面向对性能、功耗和成本有综合要求的嵌入式系统与消费电子领域。它适用于网络通信设备、工业控制计算机、数字电视、机顶盒以及各类嵌入式主板，作为系统的主内存或显存使用。其平衡的性能指标和良好的兼容性，使其成为需要稳定、长期运行的商业和工业级应用的理想内存解决方案。

• 制造商产品型号：H5TS5163MFR-NOC
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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