H8ACS0CF0ACR-56M

在现代高性能计算与存储系统中，H8ACS0CF0ACR-56M作为一款先进的DDR4 SDRAM芯片，其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术。该芯片采用精密的内部Bank分组设计，支持多Bank并行操作，有效提升了数据吞吐效率并降低了访问延迟。其内部预取架构与灵敏放大器阵列协同工作，确保了在高速时钟频率下数据的稳定读写，为系统提供了可靠的高带宽内存解决方案。

该器件具备一系列突出的功能特性。片上终结（ODT）功能有效优化了信号完整性，减少了高速信号在传输线上的反射，这对于维持系统时序余量至关重要。同时，它支持可编程的CAS延迟（CL）、行地址到列地址延迟（tRCD）和行预充电时间（tRP），允许系统设计者根据具体的工作频率和功耗要求进行精细调优，以实现性能与能效的最佳平衡。其内置的自刷新与温度补偿自刷新（TCSR）模式，能够智能管理功耗，在待机状态下显著降低能耗。

在接口与关键参数方面，H8ACS0CF0ACR-56M采用标准的288-ball FBGA封装，接口电压为1.2V，符合JEDEC DDR4标准规范。其标称工作频率可达2400MHz（对应数据速率为2400 MT/s），并支持突发长度固定为8（BL8）和突发截断（BC4）模式，增强了数据访问的灵活性。芯片的容量组织、刷新周期以及各项AC/DC时序参数均经过严格测试，确保在工业级温度范围内稳定运行。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的海力士代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能与高可靠性，该芯片广泛应用于对内存带宽和容量有苛刻要求的领域。它是企业级服务器、数据中心存储节点和高性能工作站内存模组的核心组件，能够满足虚拟化、大数据分析及实时数据库处理的密集I/O需求。此外，在高端网络通信设备、图形渲染工作站以及工业控制系统中，它也能提供持续稳定的高速数据缓冲支持，是构建下一代计算基础设施的关键存储器件。

• 制造商产品型号：H8ACS0CF0ACR-56M
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
• 现在可以订购H8ACS0CF0ACR-56M，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。