H8ACU0CE0DAR-36M-C

在现代高性能计算与存储系统中，H8ACU0CE0DAR-36M-C作为一款先进的DDR4 SDRAM芯片，其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术。该芯片采用精密的内部Bank分组设计，支持多Bank并行操作，有效提升了数据吞吐效率并降低了访问延迟。其内部预取架构与突发传输机制协同工作，确保了在高速时钟频率下数据流的稳定与连续。

该器件具备一系列突出的功能特性。片上终结（ODT）功能能够优化信号完整性，减少反射干扰，尤其在多芯片模组配置中表现优异。自刷新与自动刷新模式则保障了数据在低功耗状态下的持久性。其工作电压为1.2V，符合JEDEC DDR4标准，在提供高性能的同时实现了更优的能效比。对于需要稳定供应链与本地化技术支持的客户，通过海力士中国代理可以获得完整的产品线与专业服务。

在接口与关键参数方面，该芯片采用标准的FBGA封装，接口遵循DDR4协议规范，支持可编程的CAS延迟、写入恢复时间等时序参数，为系统设计提供了高度的灵活性。其标称频率为2133MHz（对应PC4-17000速率），数据位宽为x8组织，容量为4Gb，这些参数共同决定了其高带宽与高密度的存储能力。芯片内置的温度传感器与可调节的刷新率功能，使其能够适应从商业级到工业级宽温范围的应用环境。

基于其高性能、高可靠性与低功耗的特点，H8ACU0CE0DAR-36M-C非常适用于对内存带宽和容量有苛刻要求的应用场景。这包括但不限于企业级服务器、数据中心存储节点、高性能工作站、网络通信设备以及高端图形处理单元。在这些系统中，它能够作为核心内存组件，为大数据处理、虚拟化、实时计算等关键任务提供稳定可靠的高速数据存取支持。

• 制造商产品型号：H8ACU0CE0DAR-36M-C
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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