H8ACU0EG0MAR-36M-C

作为一款面向高性能计算和存储应用的内存解决方案，H8ACU0EG0MAR-36M-C采用了先进的DDR4 SDRAM架构。该架构基于双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，有效提升了数据吞吐效率。其内部核心电压为1.2V，相较于前代产品在功耗控制方面有显著优化，同时支持Bank Group设计，通过交错访问不同Bank Group来减少内部访问冲突，从而降低访问延迟，提升整体带宽利用率。

该芯片集成了多项旨在提升系统稳定性和性能的关键技术。数据总线倒置（DBI）功能可以有效降低数据总线切换时的功耗和噪声。片上终端电阻（ODT）技术优化了信号完整性，特别是在多Rank配置的高负载场景下，能够确保信号传输质量。此外，它支持可编程的CAS延迟（CL）、行地址到列地址延迟（tRCD）以及行预充电时间（tRP），允许系统设计者根据具体的性能、功耗和稳定性需求进行精细调优，以实现最佳的系统配置。

在接口与关键参数方面，该器件提供了标准的高速并行接口，数据速率最高可达3200 Mbps（对应PC4-25600标准）。其内部组织为8Gb容量，提供x8的数据位宽，并采用常见的96-ball FBGA封装，具有良好的PCB布局兼容性和散热特性。工作温度范围覆盖商业级（0°C至95°C TC）标准，确保在常规服务器及工作站环境下的可靠运行。时序参数如tCK、tRAS、tRC等均严格遵循JEDEC规范，保证了与其他系统组件的互操作性。

凭借其高性能与高可靠性，H8ACU0EG0MAR-36M-C主要定位于对内存带宽和容量有严苛要求的应用场景。它是数据中心服务器、高性能计算集群、企业级存储阵列以及高端工作站内存模块的理想选择。对于需要构建稳定、高效计算平台的系统集成商和OEM厂商而言，通过正规的SK海力士代理渠道获取此产品，是保障供应链稳定和产品品质的重要环节。该芯片能够有效满足虚拟化、大数据分析、内存数据库等现代负载对内存子系统提出的高带宽、低延迟及大容量需求。

• 制造商产品型号：H8ACU0EG0MAR-36M-C
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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