H9CCNNNBPTALBR-NTM

作为SK HYNIX旗下高性能存储解决方案的代表，H9CCNNNBPTALBR-NTM是一款采用先进工艺节点制造的LPDDR4X SDRAM芯片。该芯片基于双倍数据速率架构，其核心设计旨在实现高带宽与低功耗的平衡，内部采用多Bank并行访问结构，支持高速预取操作，有效提升了数据吞吐效率。其工作电压的优化设计，特别是I/O接口电压的降低，是其在保持高性能的同时实现出色能效比的关键。

该器件集成了多项增强功能，包括可编程的片上终端电阻（ODT）与数据掩码（DM）技术，以优化信号完整性并简化系统设计。其支持的温度补偿自刷新（TCSR）与部分阵列自刷新（PASR）功能，能够根据工作负载与环境温度动态调整刷新策略，显著降低了待机与活动状态下的功耗。此外，芯片内置的ZQ校准电路确保了在电压与温度变化下，驱动强度与终端阻抗的稳定性，这对于高速数据传输的可靠性至关重要。

在接口与关键参数方面，H9CCNNNBPTALBR-NTM提供了符合JEDEC标准的LPDDR4X接口，数据速率覆盖主流高速区间，能够满足苛刻的时序要求。其封装形式采用了紧凑型的FBGA，适用于空间受限的移动与嵌入式设备。工作温度范围宽泛，确保了在各类环境下的稳定运行。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的SK HYNIX代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能与低功耗特性，该芯片主要面向对能效和空间有严苛要求的应用领域。它是高端智能手机、平板电脑、超薄笔记本电脑等移动计算设备的理想内存选择。同时，在需要持续高性能运算的物联网网关、车载信息娱乐系统、以及各类便携式消费电子和工业控制设备中，也能发挥其稳定可靠的存储支撑作用，为下一代智能设备提供核心的内存解决方案。

• 制造商产品型号：H9CCNNNBPTALBR-NTM
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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