H9TP17A8JDA

在现代嵌入式系统和移动设备中，高密度、高性能的存储解决方案是核心需求。H9TP17A8JDA是一款由SK海力士设计的多芯片封装（MCP）存储器，它将LPDDR4X DRAM与eMMC 5.1 NAND闪存集成于单一封装内。这种先进的封装技术不仅显著节省了PCB空间，降低了系统设计的复杂度，还通过优化内部互连提升了数据交换效率，为紧凑型设备提供了理想的存储与内存一体化方案。

该芯片集成了高速、低功耗的LPDDR4X DRAM，其工作电压低至1.1V（VDD2）和1.8V（VDD1），在提供高带宽的同时，有效降低了整体功耗，特别适合对续航有严苛要求的便携式设备。与之协同工作的eMMC 5.1闪存控制器，支持HS400高速模式，接口时钟频率最高可达200MHz，采用双倍数据速率（DDR）技术，实现了高达400MB/s的理论接口带宽，确保了应用程序加载和大文件传输的流畅性。其内部集成的闪存转换层（FTL）管理模块，将复杂的NAND闪存管理任务从主机处理器中剥离，简化了软件驱动开发并提升了系统可靠性。

在接口方面，H9TP17A8JDA的DRAM部分采用标准的LPDDR4X接口，而存储部分则遵循eMMC 5.1规范，通过共享的I/O引脚与主机处理器通信。这种设计使得它能够兼容主流应用处理器平台。其工作温度范围通常覆盖商业级或工业级标准，确保了在不同环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过正规的SK海力士代理获取该产品，并获得完整的数据手册、设计指南以及应用支持。

凭借其高集成度与优异的性能功耗比，H9TP17A8JDA主要面向空间受限且对性能有要求的应用场景。它是智能手机、平板电脑、便携式医疗设备、物联网网关以及各类智能硬件的理想选择。在这些设备中，它能够同时满足作为系统运行内存（RAM）和永久性程序/数据存储（ROM）的双重需求，助力开发者在有限的物理空间内实现更强大的功能与更长的电池寿命。

• 制造商产品型号：H9TP17A8JDA
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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