H9TQ17A8GTMCUR

H9TQ17A8GTMCUR是一款基于LPDDR4X标准的移动双倍数据率同步动态随机存取存储器。该芯片采用先进的1x纳米级工艺制程，在单颗封装内集成了8Gb（即1GB）的存储容量，并通过32位I/O总线宽度实现高效的数据吞吐。其核心架构采用了双通道Bank组设计，支持多Bank并发操作，有效提升了内存访问的并行度与带宽利用率。内部预取机制与可编程时序控制的结合，使得该器件能够在保持低功耗特性的同时，满足高速数据读写的严苛要求。

该器件的一个显著特性是其出色的能效表现。其工作电压低至VDD2/VDDQ = 1.1V，而I/O接口电压VDDQ可低至0.6V，这使其特别适用于对功耗极其敏感的移动与便携式设备。高达4266Mbps的数据传输速率确保了在运行大型应用或进行多任务处理时系统响应的流畅性。此外，它支持多种低功耗模式，包括深度省电模式（Deep Power-Down）和部分阵列自刷新（Partial Array Self Refresh），可根据系统负载动态调整功耗，显著延长电池续航时间。其设计还包含了片上温度传感器与自适应刷新功能，以保障在宽温范围内的数据可靠性。

在接口与关键参数方面，该芯片采用标准的FBGA封装，接口遵循LPDDR4X规范，兼容主流移动应用处理器平台。其命令/地址总线采用双倍数据率（CA）设计，进一步提升了控制信号的效率。时序参数如tCK、tRCD、tRP等均经过优化，以在低电压下实现稳定的高速操作。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的海力士代理获取完整的规格书、样品以及设计指导。

鉴于其高性能、低功耗与高可靠性的特点，H9TQ17A8GTMCUR主要瞄准高端智能手机、平板电脑、超薄笔记本、便携式游戏设备以及各类嵌入式AI计算平台。在这些应用场景中，它能够为复杂的操作系统、高分辨率图形处理、实时人工智能推理及高速连网功能提供必需的内存带宽与容量支撑，是构建下一代高性能移动计算系统的关键组件之一。

• 制造商产品型号：H9TQ17A8GTMCUR
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
• 现在可以订购H9TQ17A8GTMCUR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。