H9TQ17ABJTMCUR-KUM

在现代高性能计算与存储系统中，H9TQ17ABJTMCUR-KUM作为一款高密度、低功耗的LPDDR4X SDRAM芯片，其核心架构基于先进的1x纳米制程工艺。该芯片采用双通道Bank Group设计，内部包含多个Bank阵列，通过精细的时序控制和数据预取机制，有效提升了数据吞吐效率并降低了访问延迟。其架构优化了内部电源管理单元，支持多种低功耗状态，能够在活跃与待机模式间快速切换，为核心计算平台提供高效节能的内存解决方案。

该器件集成了多项增强型功能特性，以满足严苛的应用需求。其工作电压低至VDD2 = 1.1V，VDDQ = 0.6V，显著降低了动态和静态功耗，尤其适合对能效比要求极高的移动和嵌入式设备。它支持高达4266Mbps的数据传输速率，通过片上终结（ODT）和可编程的CA训练与写均衡功能，确保了高速信号在复杂PCB环境下的完整性。此外，芯片内置的温度补偿自刷新（TCSR）与部分阵列自刷新（PASR）功能，能根据工作温度和应用场景动态调整刷新策略，在保证数据可靠性的同时进一步优化功耗。

在接口与关键参数方面，该芯片采用标准的JEDEC LPDDR4X接口规范，提供32位I/O数据总线。它支持多种突发长度与读写操作，命令/地址总线采用双倍数据速率（DDR）技术。其封装形式为紧凑的FBGA，具有良好的散热和电气性能。可靠的工作温度范围覆盖工业级标准，确保在恶劣环境下稳定运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的海力士代理获取该产品的完整技术资料、样品以及批量采购支持。

基于其高性能与低功耗的平衡设计，H9TQ17ABJTMCUR-KUM非常适合应用于对尺寸、能效和带宽均有高要求的场景。典型应用包括高端智能手机、平板电脑、超薄笔记本电脑等移动计算设备的主内存，为其提供流畅的多任务处理与图形渲染能力。同时，在需要持续数据处理的物联网网关、汽车信息娱乐系统、AI边缘计算模块以及工业控制设备中，该芯片也能提供可靠的高带宽内存支持，是构建下一代智能终端与嵌入式系统的关键存储组件。

• 制造商产品型号：H9TQ17ABJTMCUR-KUM
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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