HY57V281620FTP-6-C

HY57V281620FTP-6-C是一款采用先进CMOS工艺制造的同步动态随机存取存储器。该器件内部采用4 Banks架构，每个Bank由4,096行和256列构成，总存储容量为128Mbit，组织方式为16M x 8位。其核心设计旨在通过流水线操作和突发访问模式，在高速时钟下实现稳定的数据吞吐，满足现代嵌入式系统对内存带宽日益增长的需求。

该芯片支持全同步操作，所有信号均在时钟上升沿被采样，确保了与高速处理器的精确时序匹配。可编程的突发长度（1、2、4、8或全页）和可编程的CAS延迟（2或3个时钟周期）提供了灵活的时序配置，允许系统设计者根据总线负载和性能要求进行优化。自动预充电和自刷新模式有效简化了控制器设计，并降低了系统在待机状态下的功耗。对于需要稳定供应链和技术支持的用户，可以通过海力士中国代理获取该产品的详细信息与供货服务。

在接口与电气参数方面，该芯片采用LVTTL兼容接口，工作电压为核心电压3.3V ± 0.3V，输入/输出电压为3.3V。其速度等级“-6”代表时钟频率最高可达166MHz，对应时钟周期为6ns，从激活到读取或写入的延迟时间符合行业标准。芯片提供标准的54针TSOP II封装，具有良好的焊接可靠性和散热特性，适用于对空间和可靠性有要求的工业环境。

凭借其平衡的性能、容量和可靠性，HY57V281620FTP-6-C广泛应用于各类嵌入式系统与网络设备中。它是数字电视、机顶盒、打印机、网络路由器/交换机以及各类工业控制主板的理想内存解决方案。在这些场景中，芯片能够为处理器、ASIC或FPGA提供高效的数据缓冲和程序运行空间，是构建稳定、高性能电子系统的关键组件之一。

• 制造商产品型号：HY57V281620FTP-6-C
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
• 现在可以订购HY57V281620FTP-6-C，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。