HY5PS561621BFP-2

HY5PS561621BFP-2是一款基于DDR2 SDRAM技术的高性能、低功耗同步动态随机存取存储器。该芯片采用先进的90nm或更精细的工艺制程制造，内部核心架构为经典的4-Bank组织模式，每个Bank通过行列地址复用技术进行高效寻址。其核心工作电压为1.8V，通过创新的电路设计，在保证高速数据吞吐的同时，显著降低了动态与静态功耗，满足了现代电子系统对能效的严格要求。

该器件集成了多项关键功能特性以提升系统稳定性和性能。片上终结（ODT）功能有效改善了信号完整性，减少了在高速运行下由传输线反射引起的信号振铃，从而简化了主板设计。Posted CAS与附加延迟（AL）功能的引入，优化了命令与数据总线的调度效率，减少了总线冲突，提升了内存控制器的命令发布灵活性。其4位预取架构是DDR2技术的核心，使得内部核心工作频率仅为外部数据传输频率的一半，却能实现每数据引脚在时钟上下沿各传输一次数据，从而在相对较低的内部频率下达成高带宽。

在接口与关键参数方面，HY5PS561621BFP-2采用标准的FBGA封装，具有良好的散热性和电气连接可靠性。其数据传输速率对应“-2”速度等级，典型工作频率可达266MHz（对应数据速率为533MT/s）。接口采用SSTL_18电平标准，与1.8V的I/O电压完美匹配。时序参数如tRCD、tRP、tRAS等均经过严格优化，确保在规定的频率和电压下稳定工作。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过正规的SK海力士代理获取原厂正品及完整的技术资料。

凭借其平衡的性能、功耗与成本，HY5PS561621BFP-2非常适合应用于对内存带宽和容量有持续需求，且对功耗敏感的各种领域。其主要应用场景包括但不限于企业级及消费级网络路由器、交换机、数字电视、机顶盒、打印机以及各类工业控制设备。在这些设备中，它能够作为系统的主内存或缓存，为处理器提供稳定可靠的高速数据读写支持，是构建中端嵌入式系统与通信设备的理想存储解决方案。

• 制造商产品型号：HY5PS561621BFP-2
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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