HY5PS561621BFP-28

HY5PS561621BFP-28是一款由SK海力士（SK Hynix）设计生产的DDR2 SDRAM（同步动态随机存取存储器）芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造，内部核心架构基于经典的4 Bank预取设计，并集成了同步接口与流水线操作，能够在每个时钟周期内高效处理数据。其内部组织为4M x 16位 x 4 Banks，总容量达到256Mb，这种结构设计旨在优化内存访问的并行性与带宽利用率，通过交叉访问不同Bank来最小化行激活与预充电带来的延迟，从而提升整体数据吞吐效率。

该芯片的功能特性围绕高速、低功耗与高可靠性展开。它支持双倍数据速率（DDR）技术，在时钟的上升沿与下降沿均可传输数据，有效数据速率达到800Mbps/pin（对应时钟频率400MHz）。工作电压为标准的1.8V，并支持SSTL_18（Stub Series Terminated Logic for 1.8V）接口电平，确保了信号完整性。其内置了片内终结（ODT）功能，可以有效抑制信号反射，简化主板设计并提升信号质量。此外，芯片支持可编程的CAS潜伏期（CL）、附加延迟（AL）与写潜伏期（CWL），以及自动预充电与自刷新模式，为系统设计提供了灵活的时序配置与电源管理选项。

在接口与关键参数方面，HY5PS561621BFP-28采用66引脚TSOP-II封装，接口类型为并行。其主要时序参数如tRCD（RAS到CAS延迟）、tRP（行预充电时间）和tRAS（行有效时间）均针对高速运行进行了优化。芯片的工作温度范围符合商业级（0°C至+70°C）标准，能够满足大多数电子设备的运行环境要求。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过正规的海力士代理渠道进行采购与咨询，以确保获得原装正品和完整的应用支持。

基于其性能与规格，HY5PS561621BFP-28主要面向对成本与性能有均衡要求的嵌入式系统与消费电子领域。典型应用场景包括但不限于网络通信设备（如路由器、交换机）、工业控制计算机、数字电视、机顶盒以及各类需要中等容量、可靠运行内存的嵌入式主板。在这些应用中，它能够为处理器提供稳定的数据缓存与运行空间，是构建高效、稳定数字系统的基础存储组件之一。

• 制造商产品型号：HY5PS561621BFP-28
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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