HYMP112S64CR6-S6

作为一款面向高性能计算和服务器领域的内存模块，HYMP112S64CR6-S6采用了先进的DDR2 SDRAM技术，其核心架构基于双列直插内存模块（DIMM）设计，并集成了带有寄存器的缓冲芯片，以增强信号完整性并支持更高容量的内存子系统。该模块内部由多颗高速DRAM芯片并行工作，通过精密的时序控制和地址/命令缓冲，有效管理大规模数据流，确保在多处理器或高带宽需求环境中保持稳定的数据吞吐。

该模块的功能特点突出体现在其高带宽、大容量与增强的可靠性上。它支持ECC（错误检查和纠正）功能，能够自动检测并修正单位元错误，这对于要求7x24小时不间断运行和数据完整性的关键任务服务器至关重要。其寄存器设计不仅减少了主内存控制器的电气负载，还允许系统搭载更多的内存模块，从而实现总容量的线性扩展。稳定的工作电压和经过优化的功耗管理，使其在提供高性能的同时，也兼顾了能效表现。

在接口与关键参数方面，该模块采用240针DDR2 DIMM接口，标准工作电压为1.8V。其速度等级（如S6通常对应PC2-5300，即667MHz时钟频率）提供了可观的数据传输率。容量配置灵活，能够满足从中端到高端服务器的不同需求。严格的出厂测试确保了其在宽温范围内的稳定运行，符合工业级应用的严苛标准。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的海力士代理获取正品保障和全面的技术服务。

基于其稳健的架构和强大的功能，HYMP112S64CR6-S6主要应用于企业级服务器、数据中心、高性能工作站以及网络存储设备等领域。它是构建需要处理大量并发事务、运行虚拟化环境或进行复杂科学计算的硬件平台的理想选择，能够显著提升系统的整体响应速度和处理能力，保障关键业务的连续性与数据安全。

• 制造商产品型号：HYMP112S64CR6-S6
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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