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Nand Flash - Hynix(海力士)
HynixNand FlashSK hynix Nand Flash的电源电压范围为1.8~3.6V,功耗低,TSOP封装,体积小,目前最大单片容量可达512Gb,按页读写,按块擦除。通过8位的总线分别发送命令和地址到命令、地址寄存器来控制。以典型的“读”命令为例:写“读”命令到命令寄存器,写入4字节的地址到地址寄存器,等待设备将要求的数据放到输出寄存器,从数据寄存器读取一页的数据。由于地址寄存器在芯片内部,芯片的管脚随着芯片容量的增加基本上不变。SK hynix Nand Flash存储器具有容量较大、改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等,同时也为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
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