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SK Hynix官网中文新闻频道：2026/8/21SK Hynix海力士公司重要资讯、突发新闻
Hynix第一代垂直堆叠内存正式对外展示

Hynix第一代垂直堆叠内存采用4个DRAM芯片堆叠在一个基础层之上，采用名为“穿透硅通孔”的垂直通道相连

Sk hynix获得2014年全球DRAM排名第二荣誉

三星半导体依然稳居市占龙头，而SK海力士再度夺回第二名的位置。

东芝控诉Sk hynix侵权其NAND闪存芯片技术

东芝集团与美国闪迪公司，因NAND闪存芯片技术泄露而起诉SK海力士公司

16G海力士Hynix内存时代到来,全球最大内存!

SK海力士宣布成功研发出16GB NVDIMM内存条，全球容量最大非易失性NVDIMM内存

全球首颗DDR4内存采用海力士Hynix芯片

DDR4内存初期的标准规格 内存颗粒倒是不错，来自海力士

SK Hynix（海力士）热门产品
Nand Flash
SK hynix Nand Flash的电源电压范围为1.8～3.6V，功耗低，TSOP封装，体积小，目前最大单片容量可达512Gb，按页读写，按块擦除......
DDR3 SDRAM
SK hynix DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装......
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SK Hynix代理商-SK Hynix海力士半导体公司授权中国SK Hynix代理商
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