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  • Hynix官网中文新闻频道:2024年3月28日Hynix海力士公司重要资讯、突发新闻

    东芝集团与美国闪迪公司,因NAND闪存芯片技术泄露而起诉SK海力士公司

    三星半导体依然稳居市占龙头,而SK海力士再度夺回第二名的位置。

    DDR4内存初期的标准规格 内存颗粒倒是不错,来自海力士

    Hynix第一代垂直堆叠内存采用4个DRAM芯片堆叠在一个基础层之上,采用名为“穿透硅通孔”的垂直通道相连

    SK海力士重庆半导体项目位于重庆西永微电园,总投资12亿美元,主要进行半导体后工序加工服务

    SK hynix SDR非常适用于需要大的存储密度和高带宽的主存储器应用......
    SK hynix LPDDR2 设备的输入/输出电压由LPDDR的1.8V降为1.2V......
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