H8ACUOCFOBCR-36M

作为SK HYNIX旗下高性能存储解决方案的重要成员，H8ACUOCFOBCR-36M是一款基于先进工艺节点设计的低功耗、高密度动态随机存取存储器。该芯片采用了创新的电路架构与封装技术，在保证信号完整性的同时，有效提升了单位面积内的存储容量与数据吞吐效率。其内部集成了精密的时序控制逻辑与多级电源管理单元，能够根据工作负载动态调整功耗状态，为系统级能效优化提供了硬件基础。

该器件具备高速数据传输能力与出色的稳定性。它支持双倍数据速率接口，能够在时钟的上升沿与下降沿同时进行数据采样，从而在相同频率下实现翻倍的有效带宽。内置的自动刷新与自刷新机制，结合纠错码功能，确保了在复杂电磁环境及长时间运行下的数据可靠性。其工作电压范围经过优化，兼容主流低功耗平台需求，同时提供了多种省电模式，包括待机与深度休眠，以满足移动设备与物联网终端对续航的严苛要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的SK HYNIX代理获取原厂技术支持与供货保障。

在物理接口与关键参数方面，该芯片采用行业标准的球栅阵列封装，引脚定义兼容性强，便于PCB布局与系统集成。其核心工作频率可达较高水平，并提供了可编程的时序参数，如列地址选通延迟与写入恢复时间，允许设计工程师根据具体主板布局与性能目标进行微调。芯片支持宽温工作范围，确保在工业级与消费级应用场景下的稳定运行。其紧凑的封装尺寸尤其适合空间受限的嵌入式设计。

基于上述特性，H8ACUOCFOBCR-36M主要面向对性能、功耗与尺寸有综合要求的应用领域。它是高端智能手机、平板电脑、便携式医疗设备等移动消费电子产品的理想内存选择。同时，其在数据可靠性与宽温适应性方面的优势，也使其能够胜任车载信息娱乐系统、工业控制计算机、网络通信设备以及各类智能物联网网关中的核心存储角色，为数据密集型应用提供持久稳定的运行支持。

• 制造商产品型号：H8ACUOCFOBCR-36M
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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