HY5PS561621BFP-S5

HY5PS561621BFP-S5是一款由SK海力士（SK Hynix）设计生产的DDR2 SDRAM芯片，采用先进的CMOS工艺制造，具备高密度、高性能和低功耗的核心特性。该芯片内部采用经典的同步动态随机存取存储器架构，其存储单元阵列组织为4个内部Bank，通过多Bank交叉访问机制有效隐藏预充电时间，从而提升数据吞吐效率。其工作模式完全遵循JEDEC制定的DDR2标准，确保与主流内存控制器的广泛兼容性。

该器件在功能设计上着重于提升系统带宽与稳定性。其采用4位预取（4n-prefetch）架构，使得内部核心频率仅为外部数据传输频率的一半，在降低内核功耗的同时，实现了高速的突发数据传输。它支持差分时钟输入（CK与/CK）和数据选通（DQS）信号，确保了在高速运行下时序的精确性与信号的完整性。此外，芯片集成了片内终结（ODT）功能，可以有效抑制信号在传输线上的反射，简化主板设计并提升信号质量。其工作电压为1.8V（±0.1V），相比前代DDR内存显著降低了功耗与发热。

在接口与关键参数方面，HY5PS561621BFP-S5的存储容量为256Mb，组织格式为16M x 16位，提供16位宽的数据I/O接口。其速度等级为-S5，对应时钟频率最高可达266MHz（等效数据传输率为533MT/s），CAS延迟等时序参数经过优化，以满足不同性能等级系统的需求。芯片采用标准的66引脚FBGA封装，具有紧凑的物理尺寸和良好的散热特性，适用于高密度PCB布局。用户可通过正规的海力士代理渠道获取该产品，以确保芯片的可靠来源与技术支持。

凭借其平衡的性能与功耗表现，HY5PS561621BFP-S5主要面向对成本与能效有较高要求的嵌入式系统与消费电子领域。它常见于数字电视、机顶盒、网络通信设备、工业控制计算机以及各类需要中等容量、可靠运行内存的终端设备中。其稳定的性能和成熟的工艺使其成为构建经济型高性能系统内存子系统的理想选择。

• 制造商产品型号：HY5PS561621BFP-S5
• 制造商：SK Hynix（SK海力士半导体）
• 描述：IC DRAM Memory chips
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型： -
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量： -
• 存储器接口： -
• 时钟频率： -
• 写周期时间-字，页： -
• 访问时间： -
• 电压-供电： -
• 工作温度： -
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装： -
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