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DDR3 SDRAM - Hynix海力士精选产品

SK hynix DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快,使用了SSTL 15的I/O接口,运作I/O电压是1.5V,采用CSP、FBGA封装方式包装,除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外,另外新增了更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。CWD是作为写入延迟之用,Reset提供了超省电功能的命令,可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式,ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能,新增这个线路脚位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用来校准ODT(On Die Termination)内部中断电阻,新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可编程化温度控制内存频率功能,SRT的加入让内存颗粒在温度、频率和电源管理上进行优化,可以说在内存内,就做了电源管理的功能,同时让内存颗粒的稳定度也大为提升,确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况,同时DDR3 SDRAM还加入RASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能,可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。

       1.8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有等效数据频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率(内核频率)只有100MHz。

       2.采用点对点的拓扑架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担。

       3.采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。 

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