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Hynix第一代垂直堆叠内存正式对外展示

Hynix正在和AMD联合研发高带宽的内存HBM,它采用堆叠DRAM设计,采用和处理器相同的封包。目前也已经有JEDEC标准管理接口。现在,Hynix官方公布了这种内存的前瞻性演示幻灯片。根据幻灯片,Hynix第一代垂直堆叠内存采用4个DRAM芯片堆叠在一个基础层之上,采用名为“穿透硅通孔”的垂直通道相连,有256个这样的通道,每一通道带宽达到1Gbps,总带宽达到了惊人的128GB/秒。目前,GeForce GTX750 Ti显存界面带宽仅有86GB/s。

Hynix目前采用256MB分层堆叠,形成1GB堆栈。演示表明这仅仅是个开始。Hynix计划到2022年推出HBM迭代产品,改进密度和性能。幻灯片显示,HBM第二代产品每pin传输带宽翻倍,接口带宽达到256GB/s,将高于高端GeForce GTX980显存界面带宽。

下一代垂直堆叠内存每个die容量将达到1GB,让垂直堆叠内存容量达到4GB,从幻灯片看起来八die配置也将是一种选择,最大容量提高到8GB。

虽然幻灯片没有提到采用HBM的具体产品,但是幻灯片表示,21款采用HBM技术的产品正在研发当中。其中之一可能是AMD即将到来的Carrizo APU,之前传闻它将内建垂直堆叠内存。成电路生产基地。

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