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DDR2 内存 - Hynix(海力士)
HynixDDR2 内存SK hynix 所有DDR2 内存均采用FBGA封装形式,而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2 内存拥有两倍于标准DDR 内存的4 bit预读取能力。换句话说,虽然DDR2 和DDR 一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2 拥有两倍于DDR 的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR 的实际频率为200MHz,而DDR2 则可以达到400MHz。DDR2 内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR 的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2 可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。
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