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SK hynix LPDDR2 设备的输入/输出电压由LPDDR的1.8V降为1.2V......
SK hynix LPSDR 非常适合用于需要大量的存储密度和高带宽、使用电池的非PC应用......
SK hynix Nand Flash的电源电压范围为1.8~3.6V,功耗低,TSOP封装,体积小,目前最大单片容量可达512Gb,按页读写,按块......
SK hynix 所有DDR2 内存均采用FBGA封装形式,而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式......
SK hynix SDR非常适用于需要大的存储密度和高带宽的主存储器应用......
SK hynix eMMC 的应用是对存储容量有较高要求的消费电子产品......
SK hynix LPDDR (Mobile DDR SDRAM)非常适合于使用电池的移动应用,如PDA,2.5G和3G手机与互联网接入,多媒体功能,迷你笔......
SK hynix DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快,使用了SSTL 15的I/O接口,运作I/O电压是1.5V,采用CSP、FBGA封装方式包装......
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